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大幅提升生产效率 有望革新芯片制造 美国实验室研发新型激光技术

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美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,正在研发一种基于铥元素的拍瓦,petawatt,级激光技术,该技术有望取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍,高能耗的EUV光刻系统当前,EUV光刻系统的能耗问题备受关注,以低数值孔径,Low,NA,和高数值孔径,High,NA,EUV光刻系统为例,其功耗...。

有望革命性提升芯片制造效率 美国实验室研发突破性激光技术

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据悉,美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,正在研发一种基于铥元素的拍瓦,petawatt,级激光技术,有望取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍,这一突破可能为新一代超越EUV的光刻系统铺平道路,从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片,当前,EUV光刻系统的能耗问题备受关注,以低数值孔径,Lo...。

大幅提升芯片制造效率 美国实验室突破性激光技术

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引言美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室,LLNL,正在研发一种基于铥元素的拍瓦级,petawatt,激光技术,有望取代当前极紫外光刻,EUV,工具中使用的二氧化碳激光器,并将光源效率提升约十倍,这一突破可能为新一代超越EUV的光刻系统铺平道路,从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片,EUV光刻的能源挑战当前,EUV光刻系统的能耗问题备受关注,...。