引领EUV光刻机曙光 哈工大官宣重大突破 13.5nm极紫外光源获突破

科技资讯 2025-01-03 18:42:00 浏览
制造

为什么中国在光刻机技术上始终落后?

在当今的科技领域,芯片制造已经成为竞争的核心,其中最重要的设备之一便是光刻机。你可以把光刻机想象成一个极其精密的放大镜,它将微小的电路图案刻到芯片表面,支持现代芯片的制造。这一过程远比看起来复杂。

一直以来,中国在光刻机技术上落后于欧美国家,主要原因在于以下技术难题:

光源技术

极紫外光刻(EU科学提出了极高的要求

中国的突破

尽管存在重重技术难题,但近年来,中国在光刻机技术领域取得了显著突破。

2024年年底,哈尔滨工业大学赵永蓬教授团队在放电等离子体极紫外光刻光源项目取得重大成果,提供了13.5纳米波长的极紫外光,填补了国内光源的技术空白,为EUV光刻机的制造提供了重要支撑。

除了光源技术,中国在光学系统、能量提升、材料技术等方面也取得了一系列进展。虽然距离解决所有技术难题还需时日,但这些突破为中国在光刻机领域实现追赶提供了坚实的基础。

未来的展望

13.5nm极紫外光源获突破 反射镜

随着中国在光刻机技术领域的不断努力和创新,未来有望在这一领域实现突破。预计在未来几年内,中国将逐步掌握EUV光刻机的核心技术,打破国外垄断,为国家芯片产业的发展提供有力支撑。

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