长期以来，全球存储芯片市场由三星电子、美光科技和 SK 海力士所主导，中国厂商的市场份额不到 5%，技术也落后。自 2017 年中国开始研发 DRAM 和 NAnd 存储芯片以来，进展惊人。
NAND 闪存
2022 年，长存科技成为全球首家量产 232 层 NAND 闪存的厂商。此举引起了美国注意，美国对长存施加打压，导致长存错失最佳发展时机。随后，三星、美光和 SK 海力士也追赶上来，并量产了 232 层 NAND 闪存。目前，他们已将技术提升至 300层，超过了长存。
DRAM 内存
DRAM 内存的发展路线遵循 1-2-3-4-4X-5-5X 的模式，最新的规范是第 7 代 LPDDR5X。中国厂商从 2017 年才开始研发 DRAM 内存，如今已发展至第 6 代 DDR5 水平。
近日，国产 DDR5 内存已上市。博主对该内存进行了拆解，发现其频率达到 6000Hz，符合 DDR5 标准。其 DDR5 芯片尺寸为 8.25×8.25 毫米，面积 68.06 平方毫米，比三星最新的 DDR5 产品大 40%，与三星和美光的第一代 DDR5 产品尺寸相近。
机构分析认为，国产 DDR5 的工艺约为 17.5nm，虽然与国际大厂还有一定差距，但差距已不明显。可见，国产 DDR5 已基本达到国际领先水平，仅与国际最先进产品稍有差距，差距正在迅速缩小。
市场变革
中国是全球最大的存储芯片市场。国产 DDR5 的崛起将改写整个内存市场格局。在获得中国消费者的支持后，国产 DDR5 将畅销无阻。一旦扩产，国产 DDR5 在价格方面将具有优势。在这种情况下，国外的 DDR5 将面临激烈的竞争。
随着国产存储芯片的强势崛起，中国在全球存储芯片市场的地位将不断提升。国产存储芯片将不再落后于国际竞争对手，而是共同引领行业的发展。
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