据悉，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室 (LLNL) 正在研发一种基于铥元素的拍瓦 (petawatt) 级激光技术，有望取代当前极紫外光刻 (EUV) 工具中使用的二氧化碳激光器，并将光源效率提升约十倍。
这一突破可能为新一代超越 EUV 的光刻系统铺平道路，从而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。当前，EUV 光刻系统的能耗问题备受关注。以低数值孔径 (Low-NA) 和高数值孔径 (High-NA) EUV 光刻系统为例，其功耗分别高达 1,170 千瓦
有望革命性提升芯片制造效率 美国实验室研发突破性激光技术
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