哈工大官宣搞定13.5nm极紫外光源 EUV光刻机曙光乍现

哈工大官宣取得13.5nm极紫外光源，EUV光刻机曙光初现！ 中国光刻机技术落后的原因 在现代科技领域，芯片制造是竞争的核心，其中最重要的设备之一便是光刻机。光刻机将微小的电路图案刻到芯片表面，支持着现代芯片的生产。这一过程远比看起来复杂，这也是中国一直未能掌握光刻机技术的原因。 EUV光刻机：技术的制高点 在所有光刻机技术中，EUV（极紫外光）光刻机被视为最难攻克的技术之一。EUV光刻机使用13.5纳米的极紫外光波长，可以将芯片上的电路图案刻得更小、更精细，这对于制造先进工艺的芯片至关重要。EUV光刻机的制造极其复杂，技术要求极高，几乎每一个环节都需要精密的控制与创新。 EUV光刻机面临的挑战 EUV光刻机的制造面临以下技术难题： 1. 光源制造 EUV光刻机的核心光源发出的光波长极短，这意味着其能量极低，且容易被周围的物质吸收。为了确保光源可以有效传输并准确照射到硅片表面，必须开发出高效的光源产生技术，同时解决如何高效传输光线的问题。 2. 光学系统 EUV光刻机需要一套极其精密的光学系统。在这一系统中，反射镜的制造尤为重要。由于极紫外光的特性，反射镜必须非常光滑且无任何瑕疵，才能确保光线准确地照射到硅片上。这些反射镜的材料、制造工艺，都要求达到极高的技术水平。 中国的科研攻关 尽管EUV光刻机技术长期以来是中国的技术短板，但这一局面正在发生改变。近年来，国内的高校和科研机构在不断加大投入，逐步解决这一领域的技术瓶颈。 哈工大取得突破 2024年年底，哈尔滨工业大学的科研团队取得了重要进展。他们的放电等离子体极紫外光刻光源项目获得了省级科技创新一等奖。这一技术能够提供13.5纳米波长的极紫外光，填补了国内光源的技术空白，为EUV光刻机的制造提供了重要支持。 其他技术难关 除了光源问题外，EUV光刻机的制造还面临以下技术难关： 1. 光源能量 由于极紫外光的能量太低，单次照射的强度不足以满足高精度芯片生产的要求。因此，如何提升光源功率，提高光刻的效率，成了另外一大技术难题。 2. 反射镜加工 EUV光刻机的光学系统需要极其精密的反射镜。这些反射镜的加工难度很大，任何微小的误差都会影响芯片的制造精度。为了确保高精度的光学对准，反射镜必须达到极高的精度，以避免出现任何误差。 未来展望 虽然这些技术难题依然困扰着我们，但随着更多科研人员的不断努力和创新，我国在EUV光刻机的研究中已经取得了初步的成就。未来，中国有望在这一领域实现突破，掌握EUV光刻机的核心技术，从而打破国外技术封锁，提升我国在国际半导体产业链中的地位。